در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب‌های نیمه‌هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش‌پذیری خودبه‌خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش‌پذیری و شدت آن برای نیمه‌هادی‌های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

در این پایان نامه، خصوصیات اپتیکی فاز جدیدی از ماده گالیم نیترید (gan) به شکل نانولوله را با استفاده از محاسبات تابعی چگالی (dft) بررسی می کنیم. ساختار نانولوله گالیم نیترید مانند نانولوله کربنی پایدار و تحت شرایطی قابل سنتز می باشد. از آنجایی که نانولوله بورون نیترید و بورون کربن نیترید قبلاً به وسیله روش قوس الکتریکی در تجربه مشاهده شده است انتظار می رود که سنتز نانولوله نیتریدی دیگری مانند کر...

نانولوله گالیم نیترید آرمچیری (5و5) بر خلاف نانولوله کربنی به صورت نیمه هادی است. نانولوله-های گالیم نیترید به همان پایداری نانولوله های کربنی هستند و می توانند تحت برخی از شرایط مازاد شکل بگیرند. ویژگی گالیم نیترید نشان دهنده قابلیت این ماده برای استفاده در وسایل الکترونیکی با دما و سرعت بالا است. علاوه بر این، آنها خواص نوری جالبی نیز دارند به طوری که می توانند طول موج های ماوراء بنفش و نورآب...

در سالهای اخیر، نیمرساناهای با گاف نوار بزرگ نظیر نیترید گالیم، کربید سیلیسیم و اکسید روی مورد توجه قرار گرفته اند. از یک طرف به دلیل اینکه گاف نوار بزرگ این نیمرساناها، قطعات ساخته شده از این نیمرساناها را قادر می سازد تا دمای کار گسترده تری داشته باشند و در نتیجه می توان سیستم های خنک کننده را که باعث افزایش قیمت این سیستم ها می شود را حذف کرد که علاوه بر کاهش قیمت، کاهش اندازه سیستم را نیز د...

قطعات اپتوالکترونیکی گالیوم نیترید می تواند در محدوده طیف وسیعی از مادون قرمز تا ماوراء بنفش نور گسیل کند، نیمه رساناهای نیتریدی گروه iii و آلیاژهای آن که به علت داشتن نوار انرژی بزرگ دارای پایداری حرارتی بالا هستند و درگسیل های نوری، گذار مستقیم دارند. بنابراین دارای پتانسیل لازم برای استفاده در قطعات توان بالا و بهره بالا می باشند. لذا برررسی بهره نوری و بهینه سازی آن میتواند کارکرد لیزرهای ن...

خواص ساختاری و اکترونی انبوه نیترید گالیم، سه نانولوله زیگزاگ (?و?)، (?و??) و (?و??) و نانوسیم ورتسایت فسفید گالیم محصور شده در نانولوله ی (?و??) نیترید گالیم با استفاده از نظریه تابعی چگالی و تقریب شیب تعمیم یافته مورد بررسی قرار گرفته است. پس از بهینه سازی ساختاری نانولوله ها، تغییر شعاع حلقه ی نیتروژن نسبت به شعاع حلقه گالیم (باکلینگ شعاعی) و همین طور گاف انرژی محاسبه شده است. با افزایش شعاع...

امواج تراهرتز معمولاً به امواجی در بازه فرکانسی (100ghz-30thz) اطلاق می گردد. این امواج کاربردهای وسیعی در صنعت پزشکی، بیولوژی، عکسبرداری، مخابرات ایمن و باند پهن و ... دارد. از طرف دیگر مواد نیتریدی و بخصوص نانوساختارهای آنها، تحت میدانهای الکتریکی قوی از خود خاصیت ndr نشان می دهند لذا انتظار می رود با طراحی و مدل ساختاری بتوان امواج تراهرتز از ادوات مربوطه تولید نمود. در طرح شرایط متفاوت ایجاد...

نیترید های سه ظرفیتی با گاف نواری وسیع خود جایگاه مهمی در حوزه اپتوالکترونیک و قطعات الکترونیکی با توان و فرکانس بالا یافته اند. از میان آنها gan مهمترین و پرکاربرد ترین نیترید سه ظرفیتی است و aln،inn وscn از دیگر اعضای مهم این خانواده هستند.در این پایان نامه تلاش شده است لایه نازک aln به روش رشد روآراستی فاز بخار هیدرید (hvpe) ساخته شود. hvpe روشی مفید برای ساخت نیتریدهای سه ظرفیتی از جمله gan...

خواص ساختاری منحصر به فرد iii- نیتریدها این مواد را به گزینه مناسبی برای ساخت ادوات اپتوالکترونیک، به ویژهledها و سلول های خورشیدی تبدیل کرده است. ingan به دلیل دارا بودن گاف باندی مستقیم و تنظیم پذیر برای تمامی محدوده مفید طیف خورشیدی، ماده ایده آلی برای استفاده در ادوات فوتوولتائیک به شمار می رود. از طرفی به دلیل محدودیت ضخامت در لایه های شامل ایندیوم، نمی توان این لایه ها را در ابعاد کپه ای ...